MOSFET可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。
MOSFET多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。
然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。
MOSFET是平面晶体管，而胡正明发明的Fi架构则是3D的晶体管，3D晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。
简单来说Fi能以更低的成本实现更高的性能指标。fi的设计主要为突破25nm制程，解决mosFET由于制程缩小伴随的隧穿效应。
当然从Fi这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的Fi晶体管。
而一直到了2012年商用22nm的Fi架构的晶体管才面世。
这是一个非常漫长的过程。
周新要讲的是MOSFET架构的某一种优化。
带有些许的Fi架构思想在其中。
但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。
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